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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 18.5
    Valor médio nos testes
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 69
    Por volta de -165% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    15.0 left arrow 1,857.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,217.2 left arrow 18.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,857.7 left arrow 15.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    668 left arrow 3332

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
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Memória RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
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Memória RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Memória RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
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Memória RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Memória RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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Memória RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Memória RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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