RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
22.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
69
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.6
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
22.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
18.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
4202
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link