RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
58
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2841
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link