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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
58
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3535
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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