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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
58
Por volta de -164% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.5
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
18.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
4324
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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