RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3596
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link