RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
46
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2055
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link