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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
46
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
20
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3465
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Comparações de RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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