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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.2
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3576
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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