RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
48
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
48
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.7
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3047
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link