RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2910
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link