RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
46
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
10.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2789
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link