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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
79
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
2,451.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
79
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
1330
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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