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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
65
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
13.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
3277
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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