RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
60
Por volta de -107% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
12.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3086
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link