RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
14.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
65
Por volta de -63% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3015
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link