RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
65
Por volta de -124% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3191
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link