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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
65
Por volta de -81% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2474
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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