RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
56
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
40
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
9.5
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
2254
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link