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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Comparar
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,021.5
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
47
Por volta de -52% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,575.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,021.5
11.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
563
2330
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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