RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Comparar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
52
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,906.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,672.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.4
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
698
2478
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link