RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Comparar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
52
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,906.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,672.4
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.4
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
698
3377
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link