RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
77
Por volta de -221% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3230
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Relatar um erro
×
Bug description
Source link