RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
61
77
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
61
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2025
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link