RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
77
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
19.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
4322
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link