RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
77
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2660
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link