Comparação RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Pontuação geral

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 28

Por volta de 11% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.1 10.3

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.4 13.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 19200

Por volta de 1.33 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio

no data / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3419 2892

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns