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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
67
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
15
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
67
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
8.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2042
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
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