RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
73
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
73
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
8.4
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
1822
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link