RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
24
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2517
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link