RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
24
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3561
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link