RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de -18% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
9.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2625
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link