RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
33
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.2
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
23
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
21.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
17.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
4043
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link