RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
16.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3741
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link