RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
23400
Por volta de 1.09% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
33
Por volta de -10% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
23400
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2935
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link