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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
77
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
77
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1809
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
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