RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Comparar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de -18% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR5
Latência em PassMark, ns
33
28
Velocidade de leitura, GB/s
18.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
13.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3341
3501
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link