RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
30
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3606
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link