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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3077
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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