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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
41
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
3564
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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