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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3448
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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