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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3047
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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