RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs INTENSO 5641160 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
INTENSO 5641160 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
INTENSO 5641160 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2613
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link