RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3372
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link