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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de 57% menor latência
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
65
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1932
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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