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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2382
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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