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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
28
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
17
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
18.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3528
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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