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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2991
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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