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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
38
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2451
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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