RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
35
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
32
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2791
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link